一、有机层界面对双层有机发光二极管复合效率的影响（论文文献综述）
陈斐[1]（2021）在《低毒无镉量子点发光二极管界面修饰工程研究》文中研究表明半导体量子点（QDs）由于具有光致发光量子产率（PL QYs）高、发光峰窄、发射光谱连续可调、发光稳定性好等特点受到了研究者们的广泛关注,量子点电致发光二极管（QLEDs）是QDs在光电器件领域的重要应用方向之一。尽管近年来器件性能已经得到了显着提升,但是器件中仍然存在电荷注入不平衡的问题,尤其是无镉QLEDs,因此提高无镉QLEDs器件性能变得十分重要。本论文围绕电子传输层（ETL）和空穴注入/传输层（HIL/HTL）的调控对无镉Cu-In-Zn-S/ZnS基和InP/ZnS基QLEDs器件性能的优化开展研究,主要研究内容及创新点概括如下:1.以黄光CIZS/ZnS纳米晶作为发光材料,选用了不同价态离子(Li+、Mg2+和In3+)和不同半径离子(Mg2+和Ca2+)掺杂的氧化锌纳米颗粒（ZnO NPs）作为ETL,采用全溶液处理方法构筑了正型QLEDs,通过对ZnO NPs和QLEDs光电性质的测试研究了金属离子的价态和半径对QLEDs器件性能的影响。结果表明,由于Mg2+的价态与Zn2+相同且两者半径相近,Mg2+的掺杂不仅能够有效调节ZnO NPs的能带结构,还能够降低器件中电子的注入和传输,使器件中电荷的注入和传输更加平衡,从而提高器件性能。针对ZnO:Mg NPs表面缺陷态较多的问题,采用无机Clˉ对ZnO:Mg NPs进行表面钝化,研究了无机Clˉ钝化的ZnO:Mg NPs（Cl@ZnO:Mg NPs）对QLEDs器件性能的影响,Cl@ZnO:Mg NPs的引入不仅能够降低发光层/ETL界面处的电子注入势垒、减少器件中电子的注入,还能够抑制金属氧化物型ETL对发光材料的猝灭作用,使得CIZS基QLEDs的器件性能得到了一定程度的提升,经过优化后的器件峰值外量子效率(ηEQE)可达4.05%。2.除了抑制电子的注入,促进空穴的注入也是增加电荷注入平衡的有效方法之一。聚[（9,9-二辛基芴-2,7-二基）-共-(4,4-（N-（4-仲丁基苯基）二苯胺）]（TFB）作为空穴传输材料,虽然其空穴迁移率较高,但是其较浅的HOMO能级使空穴的注入势垒较大,因此为了降低空穴的注入势垒,在TFB HTL和发光层之间插入一层薄的N,N-二苯基-N,N-二（3-甲基苯基）-1,1-联苯-4,4-二胺（TPD）层,在一定程度上既能缓解空穴的注入势垒,又能抑制TFB对纳米晶发光的猝灭作用,使得CIZS基QLEDs器件性能得到了进一步提升,经过优化后器件的峰值ηEQE可达5.61%。另外,聚（3,4-亚乙二氧基噻吩）-聚（苯乙烯磺酸）（PEDOT:PSS）作为常用的HIL,其本身的酸性会对ITO阳极造成一定程度的腐蚀。为了解决这一问题,在PEDOT:PSS和ITO阳极之间引入了NiO,并通过对NiO进行乙醇胺的钝化和Cu离子的掺杂调节NiO的电学特性,Cu:NiO的引入不仅能够阻止酸性PEDOT:PSS对ITO阳极的腐蚀,还能够在ITO阳极和PEDOT:PSS之间形成阶梯型空穴注入势垒,有利于空穴的注入,进而提高载流子的注入平衡,从而使器件的性能得到了显着提升。3.将ETL和HIL/HTL的界面修饰策略应用到InP基QLEDs中,以红光InP/ZnS QDs作为发光材料构筑了正型QLEDs。通过对ZnO NPs金属掺杂离子的选择和无机Clˉ表面钝化,使得器件性能得到了显着提升,优化后器件的峰值ηEQE是纯ZnO NPs作为ETL时的2倍。进一步在ITO阳极和PEDOT:PSS之间引入Cu:NiO,不仅能够防止酸性PEDOT:PSS对ITO的腐蚀,还能够形成阶梯型空穴注入势垒,提高了空穴的注入和传输,使得红光InP基QLEDs的性能得到了进一步提升,优化后器件的峰值ηEQE达到了8.61%。本文中有图55幅,表21个,参考文献296篇。
郭栋[2]（2020）在《基于狭缝涂布工艺的有机宽带隙聚芴半导体薄膜及其发光器件性能的研究》文中进行了进一步梳理有机聚合物发光二极管（Polymer light-emitting diodes,PLED）由于其可溶液加工、兼容柔性工艺、低成本制备、全光谱彩色显示以及低电压驱动的高亮度发光等特点受到了广泛的关注。然而传统的溶液法制备聚合物薄膜存在很大局限性,例如薄膜的生产效率低、可用面积小、溶液利用率低等。引入印刷工艺可以实现柔性大面积薄膜器件的连续化可控生产加工。因此,印刷显示是面向未来的新型显示产业的重要发展方向之一。尽管聚合物印刷显示已经取得了一些重要的进展,但是在薄膜的大面积溶液加工方面和器件应用方面还不能达到人们的预期效果,仍有许多关键性问题,如薄膜稳定性、大面积加工中多变的薄膜凝聚态问题、器件重复性等亟待解决。本论文以宽带隙蓝光聚芴材料为研究对象,通过狭缝涂布工艺,探究了聚合物薄膜在大面积加工中遇到的问题,我们基于狭缝涂布工艺对聚芴材料体系的不同薄膜聚集态、薄膜的大面积加工工艺参数进行研究,提供了一种低温条件下可实现大面积加工的不同相态的聚芴半导体薄膜加工方法,成功实现了大面积柔性聚合物发光二极管器件的制备,为有机印刷显示的商业化提供了新的研究思路。1.在探究聚合物薄膜相态和加工工艺的关系时我们发现,聚芴半导体薄膜可以通过狭缝涂布工艺加工多层薄膜诱导出不同的相态。在狭缝工艺加工时,使用PEDOT:PSS薄膜诱导PEDOT薄膜在80℃条件下形成β相。目前已知调控聚芴半导体薄膜相态的方法都难以在大面积加工中实现,该研究为大面积加工聚芴材料中的凝聚态可控提供了新的解决方案。2.制备低温低速（20℃/40 Hz）条件和最优条件（80℃/80 Hz）下的PHDPF-Cz薄膜,对比发现通过调整仪器加工参数可以优化薄膜质量,并有效抑制了溶液加工中咖啡环效应对薄膜成膜的影响,最后在空气条件下成功制备了器件结构为PET/ITO/PEDOT:PSS/PHDPFCz/TPBi/Li F/Al的柔性大面积聚芴蓝光发光器件。3.基于狭缝涂布工艺制备大面积聚格薄膜,并讨论大面积加工的聚格薄膜分别在紫外灯照射2、4、6、8、10小时的光氧化稳定性,并与其它四种聚芴材料（PFO,PHDPF-Cz,PODPF,PGC2F）进行对比,为实现基于纳米聚合物的大面积显示器件件打下良好基础。
张帆[3]（2020）在《二维（PEA）2SnI4钙钛矿薄膜特性调控及其场效应晶体管的研究》文中研究指明目前,（PEA）2SnI4是二维有机无机金属卤化物钙钛矿薄膜场效应晶体管中研究最广泛的沟道材料,其主要问题是空气中Sn2+氧化和钙钛矿薄膜难与常用聚合物介电层兼容。针对上述问题,本论文围绕二维（PEA）2SnI4薄膜特性调控及其场效应晶体管的性能,开展了系统而深入的研究工作,主要内容为以下四部分:1.选择合适的聚合物介电材料,使用溶液法制备聚合物底栅介电层的（PEA）2SnI4薄膜场效应晶体管。（1）选择聚乙烯醇（PVA）作为栅极介电层,较薄的交联聚对乙烯苯酚（CL-PVP）薄膜修饰PVA,解决了（PEA）2SnI4的溶剂对聚合物的腐蚀问题。此双层介电层（PVA/CL-PVP）具有均匀光滑的表面、较低的表面极性,同时保持较高的电容和较低的漏电流。（2）制备了基于PVA/CL-PVP的底栅结构（PEA）2SnI4场效应晶体管。室温空气中,器件工作模式为空穴积累-耗尽型,正、反向栅压扫描下的空穴迁移率和阈值电压分别为0.28 cm2V-1s-1、21 V和0.33 cm2V-1s-1、20 V,几乎无回滞,这是（PEA）2SnI4薄膜中离子迁移被有效抑制、高质量的PVA/CL-PVP介电层以及CL-PVP与（PEA）2SnI4的良好兼容性等因素共同作用的结果。（3）根据亚阈值斜率和电容电压曲线估算了界面陷阱态密度。进一步证明,PVA/CL-PVP介电层为钙钛矿提供了一个高质量的表面,有利于电荷高效传输和减小回滞。2.使用芳香族聚合物添加剂,调控（PEA）2SnI4薄膜特性及其场效应晶体管性能。（1）添加少量芳香族聚合物PVP和聚乙烯吡咯烷酮（PVPD）调控（PEA）2SnI4薄膜特性并提出解释薄膜形成机理的模型。芳香族聚合物的不同官能团会与（PEA）2SnI4产生相互作用,如氢键、π-π相互作用、配位作用等,从而改善钙钛矿薄膜的形貌、结晶、抗氧化性以及稳定性等。特别地,两种芳香族聚合物辅助的钙钛矿（PEA）2SnI4:ARP薄膜中并未检测到Sn4+,这说明PVP和PVPD的引入能有效地抑制Sn2+的氧化。（2）构建基于PVA/CL-PVP介电层的（PEA）2SnI4:ARP薄膜场效应晶体管。与（PEA）2SnI4晶体管相比,（PEA）2SnI4:PVP器件的工作模式仍为空穴积累-耗尽型,但电流开关比从102增加到103,而且亚阈值斜率和界面陷阱密度均有所减小。然而（PEA）2SnI4:PVPD器件性能均有所下降。这说明芳香族聚合物与（PEA）2SnI4钙钛矿不同的相互作用能有效影响晶体管器件性能。（3）芳香族聚合物影响晶体管性能的物理过程分析。通过研究三种晶体管器件的横、纵向泄漏电流和交流阻抗谱,证明了芳香族聚合物添加能有效抑制钙钛矿薄膜中的泄漏电流,提高钙钛矿与聚合物介电层的界面质量。3.使用脂肪族聚合物添加剂,调控（PEA）2SnI4薄膜特性及其场效应晶体管性能。（1）通过少量的脂肪族聚合物聚环氧乙烷（PEO）、PVA和聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）辅助制备（PEA）2SnI4:ALP薄膜,提出了钙钛矿薄膜形成机理模型。脂肪族聚合物的不同官能团会与钙钛矿产生相互作用,如氢键、配位作用、亲核加成等,从而改善（PEA）2SnI4:ALP薄膜的形貌、结晶、抗氧化性以及稳定性等。特别是PEO的配位作用和PMMA的亲核加成反应,能有效钝化钙钛矿薄膜中的缺陷,延长载流子寿命。（2）基于PVA/CL-PVP介电层的（PEA）2SnI4:ALP薄膜场效应晶体管表现为明显的性能差异。（PEA）2SnI4:PEO器件从空穴积累-耗尽转化为空穴积累,且为明显双极输运,空穴、电子迁移率分别为2.1×10-3、1.3×10-3 cm2V-1s-1,阈值电压也减小了一个数量级,p沟道为3.2 V,n沟道为-2.9 V,这归因于PEO在钙钛矿薄膜中的缺陷钝化。（PEA）2SnI4:ALP（PVA和PMMA）器件仍为单一的空穴积累-耗尽模式,但PMMA器件开关比增加到104以上。亚阈值斜率和界面陷阱密度的结果表明,PVA的羟基会使界面陷阱有所增加,PMMA因对卤素离子的缺陷钝化,减少了界面陷阱密度,这是（PEA）2SnI4:PMMA器件开关比等性能提高的主要原因。（3）脂肪族聚合物影响晶体管性能的物理过程分析。通过三种晶体管器件的横、纵向泄漏电流和交流阻抗谱,证明了脂肪族聚合物的添加能有效抑制钙钛矿薄膜中的泄漏电流,PEO的缺陷钝化是改变（PEA）2SnI4晶体管工作模式、实现双极输运的决定性因素。4.研究（PEA）2SnI4薄膜在水、氧、光、热等条件下的分解机理。（PEA）2SnI4薄膜在暗态水氧环境中最终分解为PEAI和SnO2。氮气中光对（PEA）2SnI4薄膜的分解不明显,空气中光是加速分解的“催化剂”,光强越大,分解越快。低温对（PEA）2SnI4薄膜分解影响不大,较高的温度（>370 K）会使薄膜发生明显分解。本论文的工作为全面而深入地理解二维Sn基钙钛矿材料的物理特性和空气环境中的分解机理打下了坚实基础,为如何选择Sn基钙钛矿添加剂提供了一个有效的策略,更为溶液法构筑聚合物底栅钙钛矿场效应晶体管提供了新途径,有望将来应用于溶液法制备的钙钛矿柔性光电器件中。本论文包含图95幅,表21个,参考文献323篇。
李珠宏[4]（2020）在《有机电致发光二级管载流子迁移率的理论模拟》文中研究表明随着有机电致发光二极管（OLED）快速地发展,其效率和稳定性也得到了极大的提高,然而,目前OLED仍然面临着载流子迁移率低和电子与空穴迁移率不平衡等问题。另外,界面层的电子结构、分子堆积、能级排列以及化学性质都会严重影响电荷的注入和传输。因此,提高单层薄膜的载流子迁移率和减小界面层对电荷传输的影响,不但可以减小功耗,而且可以起到电荷平衡作用,进而可以直接提高OLED器件的性能和效率。基于以上两个问题,本论文采用分子动力学（MD）模拟不同的气相沉积条件下的单层薄膜结构和多层薄膜的界面结构,同时结合电荷输运理论模拟不同沉积结构下的电荷传输性质。首先,基于分子动力学模拟,以不同的基底温度Tsub和初始速度vd沉积了线型双极性主体CBP分子。在所研究的参数范围内,较低的Tsub和较高的vd均有利于获得更有序的结构。基于动力学蒙特卡洛模拟表明,有序度越高的沉积薄膜具有更高的电荷迁移率,这主要归功于能量无序度的降低和位能空间相关性的提高。另外,薄膜的分子有序度对电子传输的影响比对空穴传输的影响更为明显,而电子迁移率相较于空穴迁移率更大的提高可促使CBP薄膜中的电子迁移率和空穴迁移率的平衡,从而改善其双极传输特性。其次,在具有不同温度Tsub的基底上以不同的初始速度Vd先后沉积了线型空穴传输材料α-NPD分子和CBP分子。我们的研究表明,在所研究的参数范围内,较高的Tsub和较低的vd更容易获得具有两相混合的粗糙有机界面。而混合程度越高的有机界面,位点能在界面处的分布发生更明显地改变,这是由于混合程度越高的界面受到两种不同分子的静电作用和极化效应的影响越大。另外,当界面势垒较大时,电荷注入跳跃速率主要由界面势垒主导,只有当电荷转移积分较大时,转移积分才能对电荷跳跃速率产生影响。我们的工作不仅将分子形态与电荷传输性质联系起来,而且提供了通过优化分子沉积条件来提高电荷迁移率的策略。
钱建平[5]（2020）在《量子点发光二极管（QLEDs）的空穴传输层优化及无机QLEDs制备》文中研究表明量子点发光二极管（QLED）采用量子点材料作为发光层,应用到有机或聚合物电致发光器件中,是一种新型的电致发光器件。同时,较有机发光二极管（OLED）相比,QLED具备制备工艺简单、色纯度高、稳定性好、波长可调等优点,被认为是新一代发光二极管器件。QLED器件结构中通常采用有机无机层混合形式,其发光性能十分优异,亮度超过105 cd/m2,外量子效率（EQE）超过20%。然而,此类QLED器件中空穴注入层（HIL）和空穴传输层（HTL）采用的是有机材料（如PEDOT:PSS、PVK等）。与无机材料相比,其热稳定性较差,空穴传输率比无机材料低且易吸收空气中的水氧,导致电光性能下降及寿命衰减。因此,需要开发能带合适且性能稳定的无机材料作为空穴传输层,比如NiO、Mo O3和WO3等。本论文主要基于Cd Se/Zn S量子点（QD）制备的QLED器件。针对单层PVK空穴传输率较低和poly-TPD能级不匹配的问题,本论文通过采用双层空穴传输层（poly-TPD+PVK）结构,减小阳极至QD间的能级势垒差,提升器件的亮度和效率性能。针对有机材料稳定性较差的问题,本论文通过化学法合成NiO纳米颗粒,制备作为空穴传输层并对其进行了表面修饰,应用于全无机QLED器件中,有效提升了全无机器件的亮度、效率和寿命。具体研究成果总结如下:（1）设计并制备双层HTL-QLED器件,优化空穴传输率和能带结构,提升器件性能。研究发现,此种器件最大亮度可达50030 cd/m2,最大电流效率和功率效率分别为23.8 cd/A和15.7 lm/W,相比于单层HTL器件,EQE效率提升了10%以上,为全无机QLED器件提供了参比样本。（2）通过一次性化学注入法合成NiO纳米颗粒,并采用旋涂的方式制备NiO薄膜。由于NiO薄膜会引起器件的激子猝灭,因此本论文提出采用11-巯基十一烷基酸（MUA）对薄膜表面进行修饰。研究发现,当采用MUA修饰时,NiO薄膜表面粗糙度（Rq）从2.98 nm减小到1.56 nm,旋涂QDs后Rq值从2.37 nm减小到1.37 nm,有效的提高了薄膜平整度。基于此改进后,全无机QLED器件性能得到较大提升,亮度、电流效率和EQE值分别是表面未经修饰器件的10.6倍、5.4倍和2.7倍。在亮度为100 cd/m2时,表面经修饰器件的寿命达到6350 h,是未经修饰器件的22倍。（3）通过改变NiO纳米颗粒浓度和表面修饰剂材料,优化全无机QLED器件性能。研究发现,当采用3-巯基丙酸（MPA（3C））作为表面修饰剂时,NiO浓度为12.5mg/ml时,最大亮度和电流效率分别为2931 cd/m2和0.17 cd/A。当以MUA（11C）作为表面修饰剂时,NiO浓度为5 mg/ml时,最大亮度和电流效率分别为7785 cd/m2和5.44 cd/A。因而证明,当修饰剂材料碳链长度增长时,器件性能随之增加。相比于MPA修饰剂,采用MUA修饰后器件亮度和电流效率分别提升3.5倍和29倍,开启电压减小了0.6 V。
寸阳珂[6]（2020）在《量子点与有机发光二极管的界面调控》文中进行了进一步梳理量子点（quantum dots,QDs）为尺寸小于波尔半径的半导体纳米晶体,QDs具有发光光谱窄、发光峰可调、色纯度高以及优异的溶液加工性等特点,基于量子点的发光二极管（quantum dots light-emitting diodes,QLEDs）发展迅速。QLEDs是由厚度在纳米级别的薄膜组成的薄膜器件,载流子的注入与抽取、激子的复合、能量传递和解离等许多关键的载流子动力学过程均发生于QLEDs中各功能层薄膜的界面处。为了得到高效稳定的器件,界面的能级匹配以及界面载流子动力学的研究十分重要。为了驱动大尺寸和高分辨率的显示器,必须使用有源矩阵驱动方案。金属氧化物薄膜晶体管（metal oxide thin film transistors,MOTFT）.MOTFT具有高电子迁移率、低制造成本等优点。倒装QLEDs的阴极与n型的MOTFT的漏极能够直接连接,降低了驱动像素的电压,具有n型MOTFT的QLEDs是有源矩阵驱动方案QLEDs的首选。然而,大多数倒装QLEDs是通过溶液沉积的QDs层与真空蒸镀的空穴传输层结合在一起制成的。与昂贵的真空工艺相比,溶液加工工艺的解决方案经济高效。针对全溶液加工倒装QLEDs的技术难点,着力解决poly-ethylene dioxythiophene:polystyrene sulfonate（PEDOT:PSS）无法在空穴传输材料上成膜以及空穴注入势垒较大的问题。首次采用加入双添加剂的PEDOT:PSS,在疏水性poly（9-vinlycarbazole）（PVK）层上形成光滑均匀的膜。在QDs/PVK引入了界面偶极层polyethylenimine（PEI）,PEI的引入不仅形成界面偶极降低空穴注入势垒,而且PEI中的胺基作为电子供体钝化电子陷阱,抑制荧光猝灭。进一步减小启亮电压和提高了器件效率和稳定性。全溶液加工倒装RGB-QLEDs最大CE分别达到28.1 cd/A,43.1 cd/A和1.26 cd/A,最大外量子效率（external quantum efficiency,EQE）分别增加到20.6%,10.4%和2.95%,最大亮度分别达到5.06×104 cd/m2,1.21×105 cd/m2和2.96×103 cd/m2。根据目前所报道的文献,R-QLEDs的效率是全溶液加工倒装R-QLEDs中最高的EQE之一。此外,R-QLEDs的寿命T50@100 cd/m2延长至8253 h,实现了当时全溶液加工倒装R-QLEDs器件的最长寿命。探究了温度及Zn O界面接触对载流子动力学的影响,计算辐射复合速率Kr,非辐射复合速率Knr,以及QDs与氧化锌（zinc oxide,Zn O）的界面电荷转移速率Ket和界面电荷转移效率ηet。通过TRPL测试,热退火温度分别为室温下不退火,60°C,120°C,180°C,240°C量子点薄膜的τave分别为11.4 ns,11.3 ns,10.7 ns,10.5 ns和10.1 ns。随着加热温度的升高,τave逐步降低,QDs薄膜的荧光量子产率（fluorescence quantum yield,PLQY）也从44.5%下降到28.6%,Kr从3.90×107 s-1下降到2.83×107 s-1,而Knr则从4.86×107 s-1增加到7.07×107 s-1。PLQY的降低是由于Kr的减少和Knr的增加。结果表明随着热退火温度的提高,表面的缺陷增多降低Kr增加了Knr,导致荧光量子效率的降低。当QDs与Zn O接触后,不同热退火条件下量子点τave都明显变短了。随着温度增加到240°C,τave从8.5 ns下降到7.2 ns,τave的降低是由于辐射复合寿命的减少而非辐射复合寿命增加。进一步测试出quartz/QDs/Zn O量子点薄膜的PLQY,PLQY从32.5%下降至18.9%。并计算出Ket和ηet,Ket从3.06×107 s-1增加到3.99×107 s-1,ηet从25.7%增加到28.7%。结果表明QDs/Zn O存在着自发的电荷转移,并且随着热退火温度的升高,Ket和ηet的增加引起更多的非辐射复合或陷阱态的荧光发射,降低了激子的利用率,导致QLEDs器件效率降低。RG-QLEDs的效率和寿命已基本满足商业化运用,但B-QLEDs的效率虽然已有部分文献报道较高的效率,但整体效率水平较低,并且Cd基量子点对环境不友好。如何实现高效稳定的蓝光有机发光二极（organic light emitting diodes,OLEDs）仍然具有重要的研究意义。基于此,我们首次使用极性溶剂对OLEDs的发光层进行溶液蒸汽处理,显着提高了器件的性能。之前已经有相关文献研究了溶液蒸汽处理,但使用的溶剂被用来重新溶解功能层以引起形态变化实现提高器件性能的目的。通过甲醇溶液蒸汽处理蓝光发光聚合物（poly[（dibenzo-thiophene-S,S-dioxide）-co-（dioctyl-2,7-fluorene）],PFSO）,发光效率从3.8 cd/A提高到6.0 cd/A,启亮电压从3.4 V降低到2.8 V。详细的探究了器件性能提升的机制,器件性能提高的原因是:甲醇溶液蒸汽处理在有机/金属界面形成了界面偶极,从而降低电子注入势垒提高了电子注入,平衡了电子空穴电流密度。
俞丹牡[7]（2020）在《有机与钙钛矿发光二极管的界面调控研究》文中研究表明有机发光二极管（Organic light-emitting diodes,OLEDs）凭借自身自发光、响应快、超薄、可柔性等优势,已经在面板显示和固态照明领域成功实现产业化。近年来,由金属卤化物钙钛矿材料作为发光层的钙钛矿发光二极管（Perovskite light-emitting diode,Pe LED）引起了科学界极大的关注。这两类发光二极管均是多层结构的薄膜器件,界面性质成为制约器件性能的关键。因此,界面调控成为了提高器件性能的有效手段。由于绝大部分聚合物发光材料的LUMO能级较高,导致聚合物发光层/阴极的界面之间存在较大势垒,使电子注入困难。为了降低电子注入势垒,我们在SY-PPV发光层/金属Al阴极之间引入乙醇胺溶剂进行界面修饰,制备出高效的黄光有机发光器件。相较于未修饰的发光器件,经过乙醇胺修饰的器件性能大幅地提升,最大电流效率从2.31cd/A提高至9.41 cd/A,器件电流效率提升了3.07倍。我们发现在利用乙醇胺溶剂进行界面修饰可以引入比较弱的界面偶极,降低了电子注入势垒;此外,乙醇胺溶剂可能会渗透发光层对底下的空穴传输层PEDOT:PSS产生影响,推测可能一定程度上抑制空穴的注入,有利于电子、空穴载流子的平衡,从而提高器件的性能。另外,在钙钛矿上面进行乙醇胺表面处理也可能具有一定的指导意义。一方面,带胺基的小分子处理钙钛矿时,极有可能起到表面钝化的作用;另一方面,钙钛矿表面可能形成二维钙钛矿,有利于提高激子束缚能。我们通过对空穴传输层PEDOT:PSS 4083掺醇溶剂的改性方式制备出了高效的绿光钙钛矿发光二极管。相较于未处理的钙钛矿发光器件,其器件性能得到较大的提升,将电流效率提高了2.65倍,EQE提高了2.9倍,最终制备的最佳器件的电流效率为33.8cd/A,EQE为8.368%。器件性能提升的可能原因是:（1）空穴注入特性的改善。对PEDOT:PSS 4083掺醇溶剂处理可以部分移除具有绝缘性的PSS,从而帮助空穴注入;另一方面,经过处理的PEDOT:PSS 4083的功函数提高,使空穴传输层与钙钛矿发光层之间的能级更加匹配;（2）钙钛矿薄膜形貌与结晶质量的改善。在经过处理PEDOT:PSS衬底上沉积的钙钛矿薄膜表面覆盖率更好,晶粒尺寸更小,且致密无针孔;（3）钙钛矿薄膜光学特性的改善。我们发现PEDOT处理前后的钙钛矿可能从三维向准二维结构转变,引起量子限制效应,激子束缚能提高,促进辐射复合,减少激子淬灭,从而提高器件性能。
江从彪[8]（2019）在《量子点电致发光器件与显示研究》文中指出量子点电致发光二极管（QD-LED）由于发光色纯度高、发光波长可调和溶液加工特性,使其在平板显示方面应用前景广阔。高效率、长寿命QD-LED以及全彩化集成技术是量子点显示屏的基础,研究QD-LED工作机理、老化机制和量子点薄膜图形化技术有助于推动量子点显示产业化。本论文首先系统地研究了倒装结构器件中空穴传输层特性对器件性能的影响,较大的空穴注入势垒导致空穴在QD/HTL界面积累和激子复合中心向界面移动,而界面处积累的电荷会淬灭激子,降低器件性能。采用双层空穴传输层,形成空穴梯度注入,减小注入势垒同时改善载流子平衡,器件外量子效率由4.0%提升到了9.7%。在此基础上,我们采用深HOMO能级的蓝光聚合物PFSO作为倒装红光QD-LED器件的空穴传输层,实现了11.8 cd/A的电流效率。同时,我们设计并制备了PFSO作为QD-LED的空穴传输层与蓝光OLED的发光层的杂化器件,实现了红光与蓝光的同时发射,丰富了全彩显示的器件结构。喷墨打印技术被认为是制备大尺寸QD-LED显示屏的可行技术,但是量子点墨水配制和干燥薄膜特性研究报道较少。我们自主研制了可稳定喷墨打印的量子点墨水,并且系统地研究了墨水流变性质、基板表面性质对液滴干燥形貌的影响。发现加快液滴干燥速率和增强量子点与基板的相互作用可以有效地抑制“咖啡环”效应,最终采用喷墨打印方法制备了厚度均匀的量子点薄膜。结合金属氧化物TFT背板,采用喷墨打印技术制备了2-inch、120 ppi的全彩色量子点电致发光显示屏,显示色域达到了109%NTSC标准,为喷墨打印制备大尺寸量子点显示屏提供了有益的参考。采用无机ZnO和磷钼酸PMA组成连接层,溶液加工制备了高效率叠层白光QD-LED器件。得益于连接层优异的溶剂阻挡能力、可见光范围内高透过率以及高效率的载流子注入和传输能力,制备的叠层红光QD-LED工作电压、电流效率、亮度均与理论值一致。红、绿、蓝QD-LED叠层白光器件在亮度为100000 cd/m2时得到最大电流效率60.4 cd/A和最大外量子效率27.3%。此外,叠层白光器件在10000 cd/m2-100000 cd/m2的亮度范围内均能达到20%的外量子效率。叠层白光QD-LED结合滤色片,可以输出124%的NTSC显示色域,展示出作为新一代显示屏背光源的巨大应用潜力。无论是喷墨打印AMQLED显示屏还是叠层白光QD-LED均展现出巨大的应用潜力,但是器件工作稳定性仍需进一步提高。我们研究了正装有机/无机杂化红光QD-LED器件老化机制。发现器件在恒流模式下老化过程分为两个阶段:第一阶段QD/HTL界面黏附力增强,空穴注入增强,平衡了载流子,使得器件在老化初期亮度不断提高;第二阶段器件亮度不断降低,可能由于量子点在工作时表面配体脱落导致薄膜荧光量子产率不断降低。为此,我们提出配体交换策略,将表面的油酸等低结合能的有机配体置换为结合能力更强的硫醇配体,从而提高器件稳定性。
潘江涌[9]（2018）在《量子点发光二极管效率提升关键因素的研究和器件制备》文中研究表明量子点发光二极管（QLED）凭借其高饱和度以及高白光显色指数在平板显示及固态照明领域掀起一股新的研究热潮。其中量子点（QDs）发光层可以通过改变其尺寸大小以调节发光波长,从而实现可见光全波段的发射。同时由于器件中各功能层可以利用溶液法制备,如旋涂、喷墨打印等手段,有助于实现大规模的器件制备,降低了器件制备的成本。因此QLED器件已经成为照明和显示技术发展的重要方向。但是,目前QLED器件亟待解决的问题主要有器件的效率、生产成本和工作寿命等,它们使得器件距离实际应用仍有一段距离。其中电荷注入不平衡以及量子点相邻的金属氧化物对量子点激子的猝灭作用等是影响QLED器件性能的关键因素。本文主要基于CdSe/ZnS量子点制备的QLED器件,针对影响QLED器件性能的关键因素,通过材料改进以及器件结构优化以提高器件性能,最终实现高效单色光QLED原型器件。此外,本论文还通过局域表面等离激元及界面工程等技术提升QLED器件能效。具体研究成果总结如下:（1）研究了量子点发光层两侧电子和空穴传输层能带的匹配度对电子空穴注入平衡的影响。揭示了氧化锌（ZnO）纳米颗粒尺寸与电子传输层能带结构的关系,及其对正置型QLED器件能效的影响。此外探索了QLED器件中电荷平衡对器件效率的影响,进而构筑双层空穴传输层及掺杂空穴传输层结构,进一步降低空穴注入势垒,促进电荷平衡以提高器件能效。研究结果表明,纳米ZnO尺寸减小时,由于量子效应将导致其导带位置的上移以便阻挡多余的电子向量子点层中传输,同时有利于抑制激子分离导致的激子猝灭现象。因而,使用粒径2.9 nm的ZnO传输层制备的QLED器件,其电流效率和功率效率分别为19.7 cd/A和18.6 lm/W,相对于大尺寸ZnO的器件分别提高了95%和82%;另一方面,构筑双层空穴传输层（poly-TPD/PVK）和掺杂空穴传输层（PVK:TAPC）的QLED结构以降低空穴注入势垒,将空穴注入效率从13.2%增加至40.1%,使器件的效率分别提高了18%和55%。（2）发展高效倒置型QLED器件,研究了电子传输层掺杂叠氮化铯（CsN3）对器件性能的影响,系统分析了掺杂量对能带变化、电子传输、成膜质量以及量子点激子猝灭等因素的影响,进而揭示掺杂量与倒置型器件能效的关系,最终达到提升红、绿、蓝三色器件效率的目的。研究发现,掺杂后的ZnO电子传输层可以通过改变能带结构以降低器件的电子传输能力,促进器件中电荷平衡。同时,光谱分析结果可以确定掺杂ZnO可以抑制ZnO对量子点的激子猝灭现象,提高发光效率。因而,经过优化的绿色QLED器件的最高外量子效率、电流效率和功率效率分别为9.1%、43.1 cd/A和33.6 lm/W,与未掺杂CsN3的器件相比,其效率分别增加了62%、40%和46%。同时,将该技术应用于红色和蓝色QLED器件中,相应的效率分别提高了106%和36%。（3）研究旋涂溶液的浸润性与成膜质量的关系,通过加入异丙醇改善空穴注入层材料PEDOT:PSS在空穴传输层上的浸润性和成膜质量,从而制备出基于全溶液法的倒置QLED器件。此外研究了等离激元增强的QLED器件,通过在QLED器件中加入金纳米颗粒以利用量子点与金纳米颗粒的局域表面等离激元耦合将器件的效率提高近两倍。
李肄桓[10]（2018）在《基于掺杂式空穴注入层的设计及其高性能有机发光二极管的制备研究》文中认为有机发光二极管（OLEDS）在近几十年内被人们广泛研究,并且因其低功耗、超轻薄、色域广、自发光、可柔性制作等极具竞争力的优势被广泛应用于显示面板和照明器具。然而,在大面积制备显示面板的产业化路途中,仍然有许多困难亟待解决。为了获得高效率器件,在目前OLED的发展阶段,对维持低驱动电压,对提高激子的利用率,对提高光耦合输出等都方面都进行了深入的研究。如今OLED中最高效的发光层都是基于主-客体系统,载流子是通过从电极注入经由缓冲层和有机传输层迁移到发光层中的。为获得低器件驱动电压,降低电极和传输层界面的注入势垒就显得尤其重要。电极和有机传输层界面处的能级不匹配是导致电荷的注入和传输比较差的主要原因。关于载流子从阳极的注入,多种有机无机半导体材料被用来作为空穴注入的缓冲层,其功函数必须能够和ITO阳极的功函数与有机空穴传输层（HTL）的HOMO能级形成空穴注入的级联效应。单一空穴注入材料在注入和传输上存在不足与缺陷,掺杂策略被普遍用于改善其光电性能。因此,本论文主要集中研究新型-掺杂型空穴注入材料从而提高OLED器件的性能。首先,我们采用低温燃烧化学的方法来替代传统上需要高温烧结（450℃）的溶胶-凝胶法去制备过渡金属氧化物-Ni Ox。低至200℃的退火温度使其能够适用于普遍采用的ITO玻璃基底。经由Cu掺杂后的Ni Ox在导电性和空穴注入能力上获得显着提升。UPS分析表明Ni Ox和Cu:Ni Ox的功函数能够匹配ITO阳极的功函数和HTL的HOMO能级,形成空穴注入的级联效应。在提高空穴注入的基础上,基于5mol%Cu:Ni Ox作为HIL的绿色磷光器件发光效率最高达到了85.3 cd A-1和77.3 lm W-1。相应的功率效率,与无HIL器件和PEDOT:PSS作为HIL的器件相比分别提升了26.9%和11.3%。第二,我们利用高效P型掺杂剂F4-TCNQ掺杂在水溶性较好的TS-Cu Pc中制备了有机复合薄膜作为HIL用于蓝色磷光器件。F4-TCNQ掺杂的引入可以抑制水溶性TS-Cu Pc薄膜退火后的结晶现象,从而提高复合薄膜的空穴注入能力。F4-TCNQ掺杂TS-Cu Pc复合薄膜具有两大优势:第一,可以显着提高TS-Cu Pc薄膜的功函数从而有利于空穴向HTL（TCTA）的注入;第二,可以显着提高TS-Cu Pc薄膜的空穴迁移率而利于空穴在HIL中的传输。基于TS-Cu Pc:F4-TCNQ（30 v%）复合薄膜作为HIL的器件发光效率最高达到了45.6 cd A-1和46.3 lm W-1,与PEDOT:PSS作为HIL的器件相比功率效率获得了超过43%的提升。
二、有机层界面对双层有机发光二极管复合效率的影响（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、有机层界面对双层有机发光二极管复合效率的影响（论文提纲范文）
（1）低毒无镉量子点发光二极管界面修饰工程研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 序言 |
| 1 前言 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 量子点发光材料 |
| 1.2.1 量子点分类 |
| 1.2.2 光学性能参数 |
| 1.2.3 发光原理 |
| 1.3 量子点电致发光二极管(QLEDs) |
| 1.3.1 器件结构和发光原理 |
| 1.3.2 器件性能参数 |
| 1.3.3 Cu-In-S基QLEDs研究进展 |
| 1.3.4 InP基QLEDs研究进展 |
| 1.4 QLEDs性能的主要影响因素 |
| 1.5 研究内容和意义 |
| 2 ZnO电子传输层界面工程对Cu-In-Zn-S基QLEDs性能影响的研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 实验材料 |
| 2.2.2 实验方法 |
| 2.2.3 表征 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 金属离子掺杂ZnO NPs对Cu-In-Zn-S基QLEDs性能的影响 |
| 2.3.2 Clˉ钝化ZnO NPs对Cu-In-Zn-S基QLEDs性能的影响 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 空穴注入/传输层界面工程对Cu-In-Zn-S基QLEDs性能影响的研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验材料 |
| 3.2.2 实验方法 |
| 3.2.3 表征 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 空穴传输层修饰对Cu-In-Zn-S基QLEDs性能的影响 |
| 3.3.2 空穴注入层修饰对Cu-In-Zn-S基QLEDs性能的影响 |
| 3.4 结论 |
| 4 InP基QLEDs的电荷传输层界面工程研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 实验材料 |
| 4.2.2 实验方法 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 电子传输层修饰对InP基QLEDs性能的影响 |
| 4.3.2 空穴注入层修饰对InP基QLEDs性能的影响 |
| 4.4 结论 |
| 5 结论 |
| 参考文献 |
| 作者简历及攻读博士学位期间取得的研究成果 |
| 学位论文数据集 |
（2）基于狭缝涂布工艺的有机宽带隙聚芴半导体薄膜及其发光器件性能的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 专用术语注释表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 有机聚合物发光二极管 |
| 1.2.1 聚合物发光二极管的器件结构和基本原理 |
| 1.2.2 聚合物发光二极管的性能介绍 |
| 1.2.3 聚合物发光二极管器件的研究进展 |
| 1.3 基于溶液法的有机聚合物薄膜加工工艺 |
| 1.3.1 有机薄膜的加工工艺概述 |
| 1.3.2 溶液法加工工艺分类 |
| 1.3.3 狭缝涂布工艺在有机聚合物薄膜器件中的应用 |
| 1.3.4 溶液加工薄膜面临问题及其解决方案 |
| 1.4 有机宽带隙聚芴发光材料的研究进展 |
| 1.4.1 聚芴发光材料的研究进展 |
| 1.4.2 有机聚芴宽带隙半导体面临的问题 |
| 1.5 本文的研究意义与主要工作 |
| 第二章 基于狭缝涂布工艺的PODPF不同薄膜凝聚态的探究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 狭缝涂布的PODPF材料β相薄膜 |
| 2.2.1 狭缝涂布卷涂机介绍 |
| 2.2.2 实验材料与仪器 |
| 2.2.3 实验步骤 |
| 2.2.4 PEDOT:PSS薄膜诱导聚芴材料半导体β相 |
| 2.2.5 实验结果与讨论 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 基于PHDPF-Cz薄膜的大面积柔性PLED探究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 基于狭缝涂布工艺的大面积柔性PLED的制备 |
| 3.2.1 实验材料与仪器 |
| 3.2.2 实验步骤 |
| 3.2.3 薄膜筛选 |
| 3.2.4 器件的发光性能 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 基于狭缝涂布加工工艺的PG-DPF薄膜的稳定性探究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验仪器 |
| 4.3 实验步骤 |
| 4.4 基于狭缝涂布加工工艺的聚格薄膜光氧化稳定性探究 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 |
| 附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 |
| 致谢 |
（3）二维（PEA）2SnI4钙钛矿薄膜特性调控及其场效应晶体管的研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 序 |
| 1 引言 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 场效应晶体管 |
| 1.2.1 场效应晶体管的发展历史 |
| 1.2.2 场效应晶体管的器件结构 |
| 1.2.3 场效应晶体管的工作原理 |
| 1.2.4 场效应晶体管的重要性能参数 |
| 1.3 有机无机金属卤化物Sn基钙钛矿 |
| 1.3.1 Sn基钙钛矿简介 |
| 1.3.2 Sn基钙钛矿材料及其特性 |
| 1.3.3 Sn基钙钛矿薄膜制备方法 |
| 1.3.4 Sn基钙钛矿的不稳定性与添加剂 |
| 1.4 有机无机金属卤化物钙钛矿薄膜场效应晶体管 |
| 1.4.1 三维钙钛矿薄膜场效应晶体管 |
| 1.4.2 二维钙钛矿薄膜场效应晶体管 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 |
| 2 基于聚合物底栅介电层的(PEA)_2SnI_4 薄膜场效应晶体管的研究 |
| 2.1 实验材料与仪器 |
| 2.1.1 实验材料 |
| 2.1.2 实验仪器 |
| 2.2 (PEA)_2SnI_4 钙钛矿层的制备与特性研究 |
| 2.2.1 (PEA)_2SnI_4 钙钛矿层的制备 |
| 2.2.2 (PEA)_2SnI_4 钙钛矿层的特性研究 |
| 2.3 聚合物介电层的制备与特性研究 |
| 2.3.1 聚合物介电层的制备 |
| 2.3.2 聚合物介电层的特性研究 |
| 2.4 (PEA)_2SnI_4 场效应晶体管的制备与性能研究 |
| 2.4.1 场效应晶体管的制备 |
| 2.4.2 场效应晶体管的性能研究 |
| 2.4.3 场效应晶体管的界面态研究 |
| 2.4.4 场效应晶体管的可靠性研究 |
| 2.5 本章小结 |
| 3 芳香族聚合物辅助的(PEA)_2SnI_4 薄膜及其场效应晶体管的研究 |
| 3.1 实验材料与仪器 |
| 3.1.1 实验材料 |
| 3.1.2 实验仪器 |
| 3.2 (PEA)_2SnI_4:ARP薄膜及其场效应晶体管的制备 |
| 3.2.1 (PEA)_2SnI_4:ARP薄膜的制备 |
| 3.2.2 场效应晶体管的制备 |
| 3.3 (PEA)_2SnI_4:ARP薄膜特性研究 |
| 3.3.1 (PEA)_2SnI_4:ARP薄膜的形貌研究 |
| 3.3.2 (PEA)_2SnI_4:ARP薄膜的晶体结构 |
| 3.3.3 (PEA)_2SnI_4:ARP薄膜的元素分析 |
| 3.3.4 (PEA)_2SnI_4:ARP薄膜的分子间作用 |
| 3.3.5 (PEA)_2SnI_4:ARP薄膜的稳定性研究 |
| 3.3.6 (PEA)_2SnI_4:ARP薄膜的形成机理 |
| 3.4 (PEA)_2SnI_4:ARP薄膜场效应晶体管的研究 |
| 3.4.1 场效应晶体管的输出转移特性 |
| 3.4.2 场效应晶体管的泄漏电流研究 |
| 3.4.3 场效应晶体管的交流阻抗谱研究 |
| 3.5 本章小结 |
| 4 脂肪族聚合物辅助的(PEA)_2SnI_4 薄膜及其场效应晶体管的研究 |
| 4.1 实验材料与仪器 |
| 4.1.1 实验材料 |
| 4.1.2 实验仪器 |
| 4.2 (PEA)_2SnI_4:ALP薄膜场效应晶体管的制备 |
| 4.2.1 (PEA)_2SnI_4:ALP薄膜的制备 |
| 4.2.2 场效应晶体管的制备 |
| 4.3 (PEA)_2SnI_4:ALP薄膜特性研究 |
| 4.3.2 (PEA)_2SnI_4:ALP薄膜的晶体结构 |
| 4.3.3 (PEA)_2SnI_4:ALP薄膜的元素分析 |
| 4.3.4 (PEA)_2SnI_4:ALP薄膜的分子间作用 |
| 4.3.5 (PEA)_2SnI_4:ALP薄膜的缺陷研究 |
| 4.3.6 (PEA)_2SnI_4:ALP薄膜的稳定性研究 |
| 4.3.7 (PEA)_2SnI_4:ALP薄膜的形成机理 |
| 4.4 (PEA)_2SnI_4:ALP薄膜场效应晶体管的研究 |
| 4.4.1 (PEA)_2SnI_4:PEO场效应晶体管 |
| 4.4.2 (PEA)_2SnI_4:ALP(PVA和 PMMA)场效应晶体管 |
| 4.4.3 场效应晶体管泄漏电流研究 |
| 4.4.4 场效应晶体管交流阻抗研究 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 二维(PEA)_2SnI_4 钙钛矿薄膜的分解机理研究 |
| 5.1 水和氧对(PEA)_2SnI_4 前驱体溶液的影响 |
| 5.2 水和氧对(PEA)_2SnI_4 薄膜的作用 |
| 5.2.1 接触角研究 |
| 5.2.2 光学性能研究 |
| 5.2.3 晶体结构研究 |
| 5.3 光对(PEA)_2SnI_4 薄膜的作用 |
| 5.4 热对(PEA)_2SnI_4 薄膜的作用 |
| 5.5 本章小结 |
| 6 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 附录 英文缩写对照表 |
| 作者简历及攻读博士学位期间取得的研究成果 |
| 学位论文数据集 |
（4）有机电致发光二级管载流子迁移率的理论模拟（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 OLED的发展史 |
| 1.2 OLED的基本原理 |
| 1.3 OLED的器件结构 |
| 1.3.1 单层器件结构 |
| 1.3.2 双层器件结构 |
| 1.3.3 三层及多层器件结构 |
| 1.4 OLED的界面 |
| 1.4.1 电极与有机界面 |
| 1.4.2 有机层与有机层界面 |
| 1.5 OLED的制备方法 |
| 1.6 本论文的研究意义和研究内容 |
| 第二章 计算方法与理论基础 |
| 2.1 密度泛涵理论(DFT) |
| 2.2 分子动力学(MD) |
| 2.2.1 分子动力学的基本原理 |
| 2.2.2 分子动力学的分子力场 |
| 2.2.3 分子动力学的边界条件和系综 |
| 2.2.4 分子动力学的算法 |
| 2.3 电荷传输模型及理论基础 |
| 2.3.1 重组能 |
| 2.3.2 电子耦合(转移积分) |
| 2.3.3 位能差(site energy difference) |
| 2.4 载流子迁移率 |
| 2.4.1 爱因斯坦方程法 |
| 2.4.2 动力学蒙特卡洛(KMC)法 |
| 第三章 分子沉积对CBP薄膜结构和载流子迁移率的影响 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 建模与计算方法 |
| 3.2.1 分子气相沉积模拟 |
| 3.2.2 载流子传输模拟 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 分子取向 |
| 3.3.2 重组能 |
| 3.3.3 电子耦合(转移积分) |
| 3.3.4 位能差 |
| 3.3.5 载流子迁移率 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 分子沉积对OLED有机界面结构和载流子迁移率的影响 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 建模与计算方法 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 玻璃化转变温度 |
| 4.3.2 分子取向 |
| 4.3.3 有机界面 |
| 4.3.4 位点能 |
| 4.3.5 电子耦合 |
| 4.3.6 重组能 |
| 4.3.7 电荷跳跃速率(hopping rates) |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论着、论文 |
| 致谢 |
（5）量子点发光二极管（QLEDs）的空穴传输层优化及无机QLEDs制备（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 量子点以及量子点发光二极管的定义 |
| 1.1.1 量子点性质阐述 |
| 1.1.2 量子点发光二极管工作机理阐述 |
| 1.2 量子点合成方法及量子点发光二极管结构介绍 |
| 1.2.1 量子点合成方法介绍 |
| 1.2.2 量子点发光二极管结构介绍 |
| 1.3 量子点发光二极管的国内外发展及现状 |
| 1.4 量子点发光二极管器件存在问题 |
| 1.5 论文研究目标和方案 |
| 1.5.1 研究目标 |
| 1.5.2 研究方案 |
| 第二章 无机空穴层的制备技术及QLED器件性能参数 |
| 2.1 NiO纳米颗粒的合成和薄膜制备 |
| 2.1.1 NiO纳米颗粒的合成 |
| 2.1.2 NiO薄膜的制备 |
| 2.2 量子点发光二极管的几种重要参数 |
| 2.2.1 亮度 |
| 2.2.2 电流效率 |
| 2.2.3 功率效率 |
| 2.2.4 外量子效率 |
| 2.2.5 半高宽 |
| 2.2.6 CIE坐标 |
| 第三章 混合型QLED的制备及性能测试 |
| 3.1 实验药品和仪器 |
| 3.1.1 实验药品 |
| 3.1.2 实验仪器 |
| 3.2 ZnO纳米颗粒的合成 |
| 3.3 量子点发光二极管制备流程 |
| 3.4 量子点发光二极管的测试和分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 无机空穴层的制备及薄膜优化 |
| 4.1 实验药品和仪器 |
| 4.1.1 实验药品 |
| 4.1.2 实验仪器 |
| 4.2 NiO纳米颗粒合成流程 |
| 4.3 NiO薄膜制备流程 |
| 4.4 NiO纳米颗粒和NiO薄膜的表征 |
| 4.4.1 NiO的表征 |
| 4.4.2 NiO薄膜的表征 |
| 4.5 NiO薄膜表面修饰 |
| 4.5.1 NiO薄膜表面修饰方法与制备流程 |
| 4.5.2 薄膜修饰前后表面性能参数比较 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 全无机QLED的制备和研究 |
| 5.1 全无机量子点发光二极管的制备和优化 |
| 5.1.1 全无机器件结构及制备工艺 |
| 5.1.2 全无机器件性能优化方法 |
| 5.2 空穴传输层表面修饰对器件性能影响的研究 |
| 5.2.1 表面修饰前后器件性能对比 |
| 5.2.2 同种表面修饰剂下不同NiO浓度对器件性能的研究 |
| 5.2.3 不同表面修饰剂的器件性能的研究 |
| 5.3 不同电子传输层材料对器件性能影响的研究 |
| 5.4 全无机QLED 器件和有机无机混合型QLED 器件的性能对比 |
| 5.5 基于NiO空穴传输层的全无机QLED性能对比 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 总结和展望 |
| 6.1 内容总结 |
| 6.2 内容展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 作者简介 |
（6）量子点与有机发光二极管的界面调控（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 量子点的光电特性 |
| 1.2.1 量子限域效应 |
| 1.2.2 表面效应 |
| 1.2.3 量子点的结构及缺陷钝化 |
| 1.2.4 量子点的发光机理 |
| 1.3 量子点发光二极管器件的工作原理及发展现状 |
| 1.3.1 量子点发光二极管的工作原理 |
| 1.3.2 量子点发光二极管器件结构及发展概述 |
| 1.3.3 倒装结构QLEDs的优势及目前研究进展 |
| 1.3.4 量子点发光二极管器件的界面问题及界面调控 |
| 1.4 量子点发光二极管器件效率的提高和稳定性的研究 |
| 1.4.1 量子点电致发光二极管器件性能衰减的机理 |
| 1.4.2 通过优化QDs增加效率和稳定性 |
| 1.4.3 通过优化ETL增加效率和稳定性 |
| 1.4.4 通过优化HTL增加效率和稳定性 |
| 1.4.5 通过减少焦耳热增加效率和稳定性 |
| 1.5 有机发光二极管的界面调控 |
| 1.5.1 OLEDs的阴极界面修饰 |
| 1.5.2 溶剂处理的界面修饰方法机理 |
| 1.5.3 OLEDs中溶液蒸汽处理的界面修饰方法 |
| 1.6 本论文主要研究内容及创新点 |
| 第二章 器件制备与研究方法 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 器件制备和测试所用仪器 |
| 2.3 器件制备过程 |
| 2.3.1 配置溶液 |
| 2.3.2 清洗基板 |
| 2.3.3 各功能层制备 |
| 2.3.4 器件包封 |
| 2.4 电致发光二极管的主要性能参数 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 全溶液加工倒装量子点发光二极管 |
| 3.1 引言 |
| 3.1.1 全溶液加工倒装QLEDs的技术难点 |
| 3.2 实验材料与测试 |
| 3.2.1 实验材料 |
| 3.2.2 实验制备工艺和测试方法 |
| 3.3 实验结果与讨论 |
| 3.3.1 PEDOT:PSS中加入双添加剂 |
| 3.3.2 界面偶极层PEI |
| 3.4 总结 |
| 第四章 温度及ZnO界面接触对量子点载流子动力学影响 |
| 4.1 引言 |
| 4.1.1 表面缺陷对量子点的影响 |
| 4.1.2 量子点载流子动力学 |
| 4.2 实验材料与测试方法 |
| 4.2.1 实验材料 |
| 4.2.2 器件制备及测试方法和条件 |
| 4.3 实验结果与讨论 |
| 4.3.1 温度对辐射复合速率K_r与非辐射复合速率K_(nr)的影响 |
| 4.3.2 温度及Zn O界面接触对界面转移速率K_(et)的影响 |
| 4.4 总结 |
| 第五章 溶液蒸汽处理在有机发光二极管中的运用 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验材料与测试 |
| 5.2.1 实验材料 |
| 5.2.2 实验制备工艺和测试方法 |
| 5.3 实验与结果讨论 |
| 5.3.1 PFSO材料体系的选择 |
| 5.3.2 不同极性溶剂的筛选 |
| 5.3.3 器件性能分析 |
| 5.3.4 器件性能提升的机理 |
| 5.4 总结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读博士/硕士学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附件 |
（7）有机与钙钛矿发光二极管的界面调控研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 有机发光二极管简介 |
| 1.2.1 有机发光二极管的发展历程 |
| 1.2.2 有机发光二极管的工作原理 |
| 1.2.3 有机发光二极管的器件结构 |
| 1.2.4 有机发光二极管的加工工艺 |
| 1.3 有机无机杂化钙钛矿发光二极管简介 |
| 1.3.1 有机无机杂化钙钛矿材料 |
| 1.3.2 有机无机杂化钙钛矿发光二极管工作原理 |
| 1.3.3 有机无机杂化钙钛矿发光二极管发展历程 |
| 1.3.4 有机无机杂化钙钛矿发光二极管面临的问题 |
| 1.4 本论文的主要研究内容与创新点 |
| 第二章 器件制备与研究方法 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 主要仪器设备 |
| 2.3 制备器件 |
| 2.3.1 导电率测试基板设计 |
| 2.3.2 制备器件过程 |
| 2.4 电致发光二极管的主要性能参数 |
| 2.4.1 器件的开启电压 |
| 2.4.2 器件的发光亮度 |
| 2.4.3 器件的发光效率 |
| 2.4.4 器件的色度坐标 |
| 2.4.5 器件的寿命 |
| 第三章 基于发光层/阴极界面调控的有机发光二极管 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 器件的制备与测试方法 |
| 3.2.1 实验材料与制备条件 |
| 3.2.2 器件的测试表征 |
| 3.3 实验结果与讨论 |
| 3.3.1 乙醇胺界面修饰对有机发光二极管的器件性能影响 |
| 3.3.2 乙醇胺界面修饰提高有机发光二极管器件性能的研究 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 基于空穴传输层/发光层界面调控的钙钛矿发光二极管 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 器件制备与测试方法 |
| 4.2.1 实验材料与制备条件 |
| 4.2.2 器件的测试表征 |
| 4.3 实验结果与讨论 |
| 4.3.1 PEDOT处理对钙钛矿发光二极管器件性能的影响 |
| 4.3.2 PEDOT处理提高钙钛矿发光二极管器件性能的研究 |
| 4.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附件 |
（8）量子点电致发光器件与显示研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 量子点发光二极管简介 |
| 1.2.1 量子点发光材料 |
| 1.2.2 量子点发光二极管工作原理 |
| 1.2.3 量子点发光二极管性能参数 |
| 1.2.4 量子点发光二极管器件结构 |
| 1.3 量子点显示技术 |
| 1.3.1 显示发展历程 |
| 1.3.2 光致发光量子点显示 |
| 1.3.3 电致发光量子点显示 |
| 1.4 本论文的研究目的与创新之处 |
| 第二章 空穴传输层对QD-LED性能影响的研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验内容 |
| 2.2.1 实验材料与设备仪器 |
| 2.2.2 器件制备 |
| 2.2.3 器件测试 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 热退火对器件性能影响 |
| 2.3.2 空穴传输层对器件性能的影响 |
| 2.3.3 蓝光聚合物作为HTL与发光层 |
| 2.4 总结 |
| 第三章 喷墨打印制备全彩色量子点显示屏 |
| 3.1 引言 |
| 3.1.1 喷墨打印原理与液滴干燥理论 |
| 3.1.2 喷墨打印QD-LED简介 |
| 3.2 实验内容 |
| 3.2.1 实验材料与仪器设备 |
| 3.2.2 器件制备 |
| 3.2.3 实验内容测试与表征 |
| 3.3 喷墨打印薄膜形貌及原型器件 |
| 3.3.1 液滴干燥形貌 |
| 3.3.2 “咖啡环”抑制机制 |
| 3.3.3 喷墨打印绿光QD-LED |
| 3.3.4 小结 |
| 3.4 全彩色AMQLED显示屏 |
| 3.4.1 像素结构内薄膜形貌研究 |
| 3.4.2 RGB无源点阵器件 |
| 3.4.3 全彩色有源驱动QLED显示屏 |
| 3.4.4 小结 |
| 3.5 总结 |
| 第四章 溶液加工叠层量子点器件 |
| 4.1 引言 |
| 4.1.1 白光量子点二极管 |
| 4.1.2 溶液加工叠层WQLED |
| 4.2 实验内容 |
| 4.2.1 实验材料与仪器设备 |
| 4.2.2 器件制备 |
| 4.2.3 器件测试与表征 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 连接层(ICL)特性 |
| 4.3.2 叠层红光QD-LED |
| 4.3.3 叠层白光QD-LED |
| 4.4 总结 |
| 第五章 量子点发光二极管稳定性研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验内容 |
| 5.2.1 实验材料与仪器设备 |
| 5.2.2 器件制备 |
| 5.2.3 器件测试与表征 |
| 5.3 QLED老化机制 |
| 5.3.1 材料特性 |
| 5.3.2 器件老化特性 |
| 5.4 总结 |
| 论文总结 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附件 |
（9）量子点发光二极管效率提升关键因素的研究和器件制备（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 前言 |
| 1.2 量子点的性质 |
| 1.3 量子点的合成方法 |
| 1.4 量子点发光二极管的发展背景和研究现状 |
| 1.5 量子点发光二极管工作原理 |
| 1.6 量子点发光二极管存在的问题 |
| 1.7 本论文的研究目的和主要内容 |
| 第二章 实验方法 |
| 2.1 前言 |
| 2.2 量子点的制备与表征 |
| 2.3 ZnO的制备与表征 |
| 2.4 量子点发光二极管常用表征方式 |
| 2.5 量子点发光二极管的制备与性能参数 |
| 第三章 量子点发光二极管电子传输层的研究与优化 |
| 3.1 前言 |
| 3.2 正置型器件中电子传输层的研究比较 |
| 3.3 ZnO溶剂的优化 |
| 3.4 ZnO纳米颗粒尺寸的优化 |
| 3.5 倒置量子点发光二极管中ZnO的优化与研究 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 量子点发光二极管空穴传输层的研究与优化 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 双层空穴传输层结构 |
| 4.3 掺杂空穴传输层结构 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 新型量子点发光二极管的探索 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 基于局域表面等离激元增强的量子点发光二极管 |
| 5.3 全溶液法制备的倒置量子点发光二极管 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 工作总结和展望 |
| 6.1 工作总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（10）基于掺杂式空穴注入层的设计及其高性能有机发光二极管的制备研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 有机电致发光器件(OLED)的基本介绍 |
| 1.2.1 OLED的基本原理及发展背景简介 |
| 1.2.2 OLED的应用前景 |
| 1.3 OLED器件相关理论基础 |
| 1.3.1 OLED器件中载流子的注入、传输及激子形成过程 |
| 1.3.2 影响OLED器件效率的参数 |
| 1.3.3 OLED器件结构的发展及研究 |
| 1.3.4 OLED器件的制备工艺 |
| 1.4 OLED器件阳极界面修饰发展及研究 |
| 1.4.1 OLED器件中阳极界面修饰机理 |
| 1.4.2 OLED器件中阳极界面修饰常用方法 |
| 1.4.3 OLED器件中阳极界面修饰新型材料 |
| 1.5 本论文的主要工作 |
| 1.6 参考文献 |
| 第二章 基于低温燃烧化学方法制备铜掺氧化镍作为空穴注入层的高效OLED器件 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 材料与器件制备和测试 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 NiOx与Cu:NiOx薄膜的XPS/XRD表征 |
| 2.3.2 臭氧处理和退火温度对器件性能的影响 |
| 2.3.3 对NiOx薄膜中铜离子浓度的优化 |
| 2.3.4 基于Cu:NiOx、PEDOT:PSS、MoO3不同空穴注入层的器件对比分析 |
| 2.3.5 铜掺氧化镍同时作为空穴注入与传输层的可行性研究 |
| 2.4 本章总结 |
| 2.5 参考文献 |
| 第三章 基于水溶性掺杂铜盐作为空穴注入层的高效OLED器件 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 器件制备和测试 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 TS-CuPc:F4-TCNQ复合薄膜的表面形貌分析 |
| 3.3.2 水滴在TS-CuPc:F4-TCNQ复合薄膜的接触角 |
| 3.3.3 TS-CuPc:F4-TCNQ复合薄膜的红外光谱(FTIR)分析 |
| 3.3.4 TS-CuPc:F4-TCNQ界面层对OLED器件性能研究 |
| 3.3.5 OLED器件中空穴注入增强机制的研究 |
| 3.4 本章总结 |
| 3.5 参考文献 |
| 第四章 全文总结 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论文 |
| 致谢 |
四、有机层界面对双层有机发光二极管复合效率的影响（论文参考文献）
- [1]低毒无镉量子点发光二极管界面修饰工程研究[D]. 陈斐. 北京交通大学, 2021
- [2]基于狭缝涂布工艺的有机宽带隙聚芴半导体薄膜及其发光器件性能的研究[D]. 郭栋. 南京邮电大学, 2020(03)
- [3]二维（PEA）2SnI4钙钛矿薄膜特性调控及其场效应晶体管的研究[D]. 张帆. 北京交通大学, 2020
- [4]有机电致发光二级管载流子迁移率的理论模拟[D]. 李珠宏. 苏州大学, 2020(02)
- [5]量子点发光二极管（QLEDs）的空穴传输层优化及无机QLEDs制备[D]. 钱建平. 东南大学, 2020(01)
- [6]量子点与有机发光二极管的界面调控[D]. 寸阳珂. 华南理工大学, 2020(01)
- [7]有机与钙钛矿发光二极管的界面调控研究[D]. 俞丹牡. 华南理工大学, 2020
- [8]量子点电致发光器件与显示研究[D]. 江从彪. 华南理工大学, 2019
- [9]量子点发光二极管效率提升关键因素的研究和器件制备[D]. 潘江涌. 东南大学, 2018
- [10]基于掺杂式空穴注入层的设计及其高性能有机发光二极管的制备研究[D]. 李肄桓. 苏州大学, 2018(12)
标签：量子点发光二极管论文; 发光效率论文; 传输层论文; 场效应管论文; 发光二极管论文;